在能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，必將是會(huì)產(chǎn)生耗損，所以在實(shí)際應(yīng)用中，開關(guān)電源模塊工作效能只能盡量靠近百分之百。因?yàn)樵谟诓考�自身，所以只能通過(guò)部件技術(shù)來(lái)完善。下面分析下影響開關(guān)電源模塊速率的具體因素分析有什么。

開關(guān)電源模塊的耗損具體來(lái)源于開關(guān)元件MOSFET和二級(jí)管，另部分來(lái)源于電感和電感器。MOSFET和二級(jí)管因?yàn)樽陨硖攸c(diǎn)，會(huì)大幅度降低系統(tǒng)速率，可分為傳輸耗損和開關(guān)損耗倆部分。

簡(jiǎn)單而言，任何電流量回路開關(guān)都存在耗損電阻器，會(huì)引起動(dòng)能耗損。MOSFET和二級(jí)管是開關(guān)元件，在導(dǎo)通電流量流經(jīng)MOSFET或二級(jí)管時(shí)，會(huì)有導(dǎo)通壓力降。

因?yàn)镸OSFET只有在導(dǎo)通時(shí)才有電流量流經(jīng)，所以MOSFET的傳輸耗損兩者之間導(dǎo)通電阻器、占空比和導(dǎo)通時(shí)的電流量有關(guān)。

而二級(jí)管的傳輸耗損則在于自身的導(dǎo)通壓力降(VF)，導(dǎo)通壓力降相對(duì)很大。因而，二級(jí)管與MOSFET對(duì)比會(huì)加入更大的傳輸耗損。二級(jí)管的傳輸耗損由導(dǎo)通電流量、導(dǎo)通壓力降、導(dǎo)通時(shí)間決定。

電感在開關(guān)電源模塊電源電路中具體起穩(wěn)壓、濾掉鍵入、輸出的噪音等作用，這些耗損降低了速率。可分成幾種現(xiàn)象解讀，有等效串接電阻損耗、漏電流耗損和電介質(zhì)耗損。

電流量在每個(gè)電源開關(guān)周期時(shí)間流入量、排出電感，電感原有的電阻器會(huì)引起一定耗電量。漏電流耗損是因?yàn)殡姼袑?dǎo)熱材料的電阻器造成較小電流量流經(jīng)電感而產(chǎn)生的輸出功率耗損。

電介質(zhì)耗損是因?yàn)殡姼袃深^產(chǎn)生了交流電流，電感靜電場(chǎng)變化，進(jìn)而使電介質(zhì)分子結(jié)構(gòu)電極化引起輸出功率耗損。

速率低的開關(guān)電源模塊，會(huì)帶來(lái)很大的泄漏電流，在高溫下工作，會(huì)影響系統(tǒng)的可信性。因而，提高效益和降低產(chǎn)品泄漏電流成為了開關(guān)電源技術(shù)員的重要工作之一。